【摘 要】
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在TFT-LCD制程中,采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhancedchemical vapor deposition,PECVD)生长氮化硅薄膜,采用分步沉积的方法改善氮化硅刻蚀角度,同时讨论了通
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在TFT-LCD制程中,采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhancedchemical vapor deposition,PECVD)生长氮化硅薄膜,采用分步沉积的方法改善氮化硅刻蚀角度,同时讨论了通过干法刻蚀(dry etching)改善氮化硅刻蚀角度的可能性,得到适合制作与刻蚀氮化硅薄膜,取得良好刻蚀角度的最佳工艺条件。在采用新的条件之后,可以在保证晶体管性能的同时,避免刻蚀形状不佳造成的各种产品不良,该条件已经被量产所采用。
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