【摘 要】
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该论文的主要工作是利用真空沉积技术和超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了Ge在Si(111)-7×7表面上的自组织生长,并形成了两种新的纳米级有序结构.另外,还研究了两种具有
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该论文的主要工作是利用真空沉积技术和超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了Ge在Si(111)-7×7表面上的自组织生长,并形成了两种新的纳米级有序结构.另外,还研究了两种具有一定幻数的环状团簇的电子特性.通过室温真空沉积的方法在Si(111)-7×7表面上沉积少量的Ge,观察到Ge在Si(111)-7×7表面上所形成的团簇的选择性地吸附在(7×7)的亚单胞上,首次在Si(111)-7×7表面上观察到Ge的临界核.而且这些Ge团簇具有类似半导体的性质,即它们在费米面附近的电子态密度非常小,而在远离费米面的电子态密度很大.通过精确控制Ge的沉积量,我们首次在Si(111)-7×7表面上自组织生长出二维Ge团簇超晶格结构.这种结构与(7×7)表面具有相同的晶格对称性.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.我们对这种自组织结构的形成机制进行了讨论.
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