在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了应变核-壳球形量子点杂质态和激子态结合能及其光学性质。首先,在应变影响下研究了氮化物半导体InxGa1-xN/Zn S n N2核-壳球形量子点中杂质态结合能及光致电离截面随量子点尺寸以及不同杂质位置的变化关系,并与不考虑应变时的结果作了比较。数值计算结果表明:杂质位于核边界时,杂质态结合能随核半径增大呈先减小后增大的趋势,随壳半径增大单调递减;杂质位于壳区域中心以及壳边界时,杂质态结合能随核半径增大单调递增,随壳半径增大单调递减;光致电离截面的峰值强度在不同杂质位置下均随着核半径增加而增大,并伴随着峰值位置出现红移或蓝移现象。此外,应变效应对结合能及光致电离截面的影响显著,且其影响也明显依赖于杂质位置。其次,研究了CdTe/Cd1-xZnxS/CdTe多壳层球形量子点中杂质态结合能随量子点尺寸和Zn组分的变化关系。通过计算发现,当杂质位于量子点中心时,随着量子点尺寸的变化,电子可能局域于核区域或者外壳区域,对杂质态结合能影响明显。当电子局域在不同区域时,杂质态结合能随Zn组分的变化与杂质位置密切相关。最后,研究了双轴应变CdTe/Cd1-xZnxS核-壳球形量子点I型和II型结构下激子态结合能、辐射寿命及压力效应。计算结果表明:对于这两种结构,有无应变下激子结合能均随核半径的增大而减小,随压力的增加而增大,考虑应变后激子结合能小于无应变时的结果。II型结构中壳半径以及应变对激子结合能的影响比较明显,且辐射寿命随压力的增大呈先增大后减小的趋势。I型结构中,应变的影响相对较小,且辐射寿命随压力的增大而单调减小。