直径300mm硅单晶生长过程的热场模拟

来源 :北京有色金属研究总院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ck2112
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本文对直径300mm晶体生长热场进行了数值模拟,并模拟计算了晶体生长过程中单晶炉内的氩气流动情况.热场的模拟计算结果与实验测量的结果基本一致,较好地模拟了单晶炉内的热场分布情况.通过对氩气流动情况的模拟分析,更好地了解了单晶炉内氩气流场的分布情况,这有利于我们更好地控制单晶炉内的氨气流的流速和流向,以及单晶中氧含量.通过对有热屏和无热屏两种状态下的热场分布和晶体质量的比较,我们得出:单晶炉内施加热屏,可以很好地改进单晶炉内的热场分布,从而改善CZ硅单晶的生长条件,可以较好地控制晶体中的各种缺陷;同时,通过加装热屏,可以改进熔体内的温度分布,增大晶体生长的稳定性,从而获得更大的晶体生长速度,这样有利于提高生产效率;加装热屏还可以减少单晶炉内的热量损失,从而降低加热功率,减少了熔体与坩埚壁的反应,从而有利于控制晶体中的氧含量.
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