【摘 要】
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显示技术正朝着高清化、柔性化的方向快速发展,并引起虚拟现实等领域的广泛关注。量子点发光二极管（QLED）被认为是最有前途的下一代显示技术之一,但要实现商业应用仍存在诸多挑战,如载流子注入不平衡、器件稳定性差等问题。本文针对QLED器件中ITO-有机空穴注入层的界面电荷注入问题,通过在界面引入致密稳定的无机NiOx薄膜,设计制备了无机-有机双空穴注入层（HILs）结构,改善器件功能层能级匹配,提高载
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目（51835005）“面向柔性量子点显示稳定化的原子层沉积跨尺度制造方法研究（2019~2023）”； 湖北省自然科学基金创新群体项目“原子尺度制造与检测（2020~2022）”； 武汉市应用基础前沿项目“量子点膜的封装技术研究（2018~2020）”；
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显示技术正朝着高清化、柔性化的方向快速发展,并引起虚拟现实等领域的广泛关注。量子点发光二极管（QLED）被认为是最有前途的下一代显示技术之一,但要实现商业应用仍存在诸多挑战,如载流子注入不平衡、器件稳定性差等问题。本文针对QLED器件中ITO-有机空穴注入层的界面电荷注入问题,通过在界面引入致密稳定的无机NiOx薄膜,设计制备了无机-有机双空穴注入层（HILs）结构,改善器件功能层能级匹配,提高载流子注入和复合效率,大幅提升器件稳定性。本文主要工作如下:针对QLED器件中载流子注入不平衡、稳定性差等问题,通过引入溶液法旋涂制备的NiOx（Spin-NiOx）薄膜构建无机-有机双HILs器件结构,实现QLED开启电压降低0.5 V,最大外量子效率（EQE）提升5.4倍,初始亮度为100 cd/m~2时的T50寿命延长9倍,实验表明双HILs结构的构建实现了更高效的载流子注入和复合平衡,是器件综合性能提升的主要原因。针对双HILs层中Spin-NiOx层厚度精度控制差、表面缺陷多等问题,本文通过原子层沉积（ALD）技术实现了厚度精确可控、致密均匀的NiOx（ALD-NiOx）薄膜的制备。相较于Spin-NiOx薄膜,ALD-NiOx薄膜表面缺陷少,薄膜迁移率高,透射率高。通过ALD工艺优化,实现器件开启电压降低到2.6 V,最大EQE进一步提升30%,初始亮度为100 cd/m~2时的T50寿命进一步延长1.4倍（达到74 min）。本工作表明QLED功能层设计、制备及优化是提升器件综合性能的有效方法,显示了ALD技术在高精度薄膜功能层制备的重大优势,并在多种光电器件的载流子调控、稳定性提升等方面具有巨大应用潜力。
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