【摘 要】
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III族氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,在绿光、蓝光甚至紫外波段的发光器件和高温微电子器件领域有广泛的应用前景.该文主要有以下几个方面的工作:1)研
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III族氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,在绿光、蓝光甚至紫外波段的发光器件和高温微电子器件领域有广泛的应用前景.该文主要有以下几个方面的工作:1)研究MOCVD生长的不同Mg掺杂浓度GaN样品的光学性质.2)我们采用一种称为低温钝化法的新的生长方法,成功地用MOCVD技术长出多层InGaN/GaN量子点.用原子力显微镜观察到岛状的量子点.从样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,将其中的锯齿形状的峰形归因于零维量子点的共振隧穿.3)研究了低温钝化法生长的量子点表面形貌随层数的变化.随着量子点层数的增加,量子点变大,单层样品量子点的高度和直径分别为18nm和50nm,当量子点层数增加到四层,量子点的高度和直径分别为37nm和80nm.我们认为应变场对量子点的表面形貌有重要的影响.
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