有机发光场效应晶体管(organic light-emitting transistors, OLETs)同时具备有机场效应晶体管(organic field effect transistors, OFETs)的电路调制功能,以及有机发光二极管(organic light-emitting diode, OLEDs)的发光功能,在平板显示、光通讯、固体照明、以及电泵浦有机激光器等领域存在着巨大的应用价值。高性能的OLETs要求器件不仅具有高迁移率,还要求空穴和电子的迁移率达到平衡。异质结结构的OLETs的半导体层由N型材料和P型材料组成,通过对两种材料的调整,可以有效平衡两种载流子的迁移率。本文对双层异质结结构的OLETs进行了研究。首先,为了给双层异质结结构的OLETs的制备作好准备,本文分别制备了基于N型材料P13和基于P型材料DH6T的单层OFET器件,并对它们的性能进行了优化。紧接着,本文制备了基于P13/DH6TPN结的OLETs,当在P13层和DH6T层的厚度分别为28nm和25nm的器件的有机层和源/漏电极间插入一层Mo03以修饰Au电极后,成功提高了空穴的迁移率,制备出了具有平衡的空穴和电子迁移率的OLETs.在对该器件进行测试时,成功观测到了在空气中稳定持续的发光现象。另外,本文也制备并研究了基于P13/Pentacene PN异质结的OLETs,得到的器件性能良好,在器件使用Ag电极时我们在电极附近拍摄到了明亮的绿色光。此外,本文成功地将双层有机绝缘层PMMA交联PVP引入到基于P13/DH6T PN结的OLETs中。该有机绝缘层能够有效提高器件的性能,而且,它的在OLETs中的成功应用也为柔性OLETs的制备奠定了基础。另外,文章还对如何提高该绝缘层的耐高压性能进行了探究。