近年来人们对60GHz CMOS射频电路设计进行了大量的而研究，作为60GHz射频电路中的核心模块， CMOS功率放大器的设计十分重要。本文在介绍了适用于毫米波CMOS功率放大器芯片设计的电路知识和设计方法的基础上，介绍两个60GHz CMOS功率放大器的涉及方法。基础知识包括毫米波CMOS功率放大器的基本设计思路，提高CMOS功率放大器性能的方法，CMOS功率放大器中的无源元件和基于CMOS工艺的功率合成技术四部分。基于TSMC90nm CMOS工艺，设计了一种全对称8路变压器功率合成元件，解决了8路变压器功率合成输入阻抗不一致的问题。并以这种功率合成元件为基础设计了一个4级A类60GHz的CMOS功率放大器。测试结果表明，在60GHz，其1dB压缩点输出功率为17.3dBm，小信号增益为16.8dB。峰值效率为13%，饱和输出功率为20dBm。芯片核心部分面积为0.67mm2。基于TSMC90nm CMOS工艺，设计了一个采用堆叠式晶体管和并联功率合成的60GHz CMOS功率放大器。这是首次有人在60GHz设计多路多级堆叠式CMOS功率放大器。并且在匹配网络中采用了慢波结构微带线来减小无源元件的面积和损耗。由仿真结果得出饱和输出功率为20.5dBm，峰值效率为21%，1dB压缩点输出功率为17.3dBm，小信号增益为16.2dB。芯片核心部分面积为0.7mm2。