InN超导的出现意味着Ⅲ-Ⅴ族半导体材料可以横跨超导、微电子、光电子等诸多领域。将InN超导特性与第Ⅲ主族的氮化物半导体结合并实现片上集成有着非常重要的应用前景。由于InN同时兼具超导体和半导体的两种性质,一个直接的应用就是超导单光子探测器。本文主要研究了InN不同线宽（5/10/50μm）在变温变磁、低温变光的微电流条件下的输运测试,研究线宽对InN超导性质的影响;以及研究InN不同线宽对不同波段LED的光响应情况:（1）研究了不同线宽的InN微米带的的超导特性,发现即使线宽的变化并不在微观尺度,而是在微米级别的宏观尺度,其对超导转变温度Tc、临界磁场Bc、临界电流密度Jc都有很大的影响,并给出了定性的理论解释,证明了 InN的超导相干长度极大,约3-10μm;当超导体的横向尺寸（比如,在超导纳米线中,横向尺寸就是其宽度）小于它的库珀对的超导相干长度的时候,超导体的基本性质（比如临界温度、临界电流密度等）会变得与其横向尺寸有关。我们称该种对横向尺寸敏感的超导体线为一维超导体。（2）探索了 InN作为超导单光子探测器的应用基础;当入射光子与库珀对或涡旋的直接作用下,长波（3.9μm/1.55μm）下表现出一种慢响应（光热效应）;短波（blue/945nm）下表现出一种快响应（非平衡光响应）。对于非单光子源,弱光下满足光子能量满足泊松分布,除T＜＜TC外,大部分温度范围存在单光子响应,与ILED成正比;另外,T≤0.4K附近为双光子响应与ILED2成正比。这与NbN纳米线观察结果一致。实验结果为该材料在半导体领域和超导领域及其交叉学科的应用提供了较好的研究基础。