近年来,移相(Phase shift)控制全桥(Full bridge)零电压(ZVS,Zero voltage switching)脉宽调制(PWM)变换器受到广泛的关注。这种变换器采用移相控制,利用电路的寄生参数(开关管的结电容和变压器的漏感)实现开关管的零电压工作。这种变换器具有很多优点,如电路简单,没有增加谐振器件等,因而被广泛应用到MOSFET作为开关管的场合。然而,这种变换器滞后臂的软开关范围很窄,除非变压器的漏感很大,而增大了变压器的漏感又会恶化变压器副边的占空比丢失,增加续流阶段的导通损耗。这种变换器也不适用于采用IGBT作为开关器件的高功率场合,尽管可以通过外并电容的方法来实现零电压开关,但由于IGBT器件具有电流拖尾特性,关断损耗仍比较大。为了解决这些问题,一类新型的拓扑——全桥零电压零电流开关(ZVZCS,Zero voltage and zero current switching)变换器被提出来。在ZVZCS变换器中,一个桥臂工作在零电压开关,另一个桥臂工作在零电流开关。论文对零电压零电流型软开关变换器的拓扑结构进行了综合分析和改进研究。零电流开关条件可以通过在原边或副边引入辅助电路实现。但是这些变换器中由于引入了辅助电路也带来了新的问题,有些采用了有源或者有损器件,降低了系统的总体效率。而采用电感和变压器作为辅助电路的变换器,使变换器变得有些复杂,而且也不可避免的增加了磁芯损耗。采用吸收(snubber)电路由于没有增加额外的损耗,似乎是一个比较好的选择,而且具有占空比增加效应,但是这种变换器往往增加了变换器二次侧整流二极管的电压应力。基于对FB-ZVS-PWM和FB-ZVZCS-PWM变换器原理的分析,提出了一种辅助电路由一个电容和两个二极管组成的新拓扑结构。文章给出了电路的工作原理和各个过程等效电路的分析。分析了电路的零电压范围、零电流范围以及副边的换流过程和二次侧二极管的电压应力,并将其与其它拓扑结构进行了对比分析。分析结果表明本拓扑结构具有采用器件少、软开关容易实现并且不会增加变压器副边电压应力等优点。论文基于Buck变换器的小信号模型,并且考虑变压器的漏感以及为了实现超前臂ZVS以及滞后臂ZCS而引入的辅助电路对变换器的影响,建立了改进拓扑结构的小信号模型。通过仿真结果验证了分析和设计的正确性。