本文通过采用射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga₂O₃薄膜,并研究双靶交替溅射和混合靶材直接溅射两种掺杂方式对薄膜性质的影响;之后选用掺杂方式更好的方式制备不同溅射条件下的Mg掺杂Ga₂O₃薄膜,并将其中一组样品进行后退火处理,并使用X射线衍射仪（XRD）、紫外分光光度计（UV-Vis）、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）以及光致发光谱仪（PL）等测试仪器对薄膜样品进行表征,以研究溅射功率、溅射压强、溅射时间等溅射参数以及后退火处理对Mg掺杂Ga₂O₃薄膜晶体结构、薄膜表面形态、光学性质、化学组成元素等性质的影响。SEM与EDS结果显示,采用双靶交替溅射方式会存在掺杂薄膜表面不均匀、致密性低,晶粒与衬底的对比度较低等问题,因此为了获得质量更好的掺杂薄膜,我们一般采用混合靶材直接溅射方式来制备掺杂薄膜。XRD结果表明当溅射功率为80W时生长的薄膜具有更明确、更强烈的单斜结构,薄膜结晶质量最好,光透过率最高,带隙宽度更小;当溅射压强为0.8Pa时薄膜结晶质量更好,且溅射压强对薄膜的光透过率影响并不是很大;溅射时间为1.0h时薄膜光透过率更高,薄膜质量更好。XRD结果显示退火后的Mg掺杂Ga₂O₃薄膜其晶体结构择优取向增强,结晶质量提高;并且退火后的Mg元素重量百分比增加;退火后薄膜光透过率由80%增加到90%以上,薄膜带隙宽度增大;此外薄膜在退火后光致发光峰明显增强,表明退火处理对薄膜的发光特性有显著提高作用。