氧化铟（In₂O₃）作为一种禁带宽度为3.55-3.75 eV的n型半导体金属氧化物材料,由于其具有较好的催化活性、较高的电导率和较宽的禁带宽度,作为气敏材料被广泛应用于气体传感器领域。近年来,研究发现通过掺杂改性可有效提高In₂O₃气体传感器的气敏性能。本文采用水热法制备了In₂O₃微结构,通过掺杂贵金属、金属氧化物来研究In₂O₃气体传感器的气敏性能。利用XRD、SEM、EDS、TEM和XPS对合成的样品的晶体结构、微观形貌、元素组成及价态进行表征分析。同时,对制备的In₂O₃气体传感器进行了气敏特性测试,实验结果表明:（1）采用水热法合成In₂O₃空心微球结构,表征结果表明制备的In₂O₃为立方体型结构。气敏特性实验结果表明:在最佳工作温度（300℃）下,传感器对100 ppm异丙醇的气敏响应达到10.3,响应恢复分别时间为2 s/7 s,最低检测极限仅为500 ppb;（2）制备出了不同浓度（0 mol%,1 mol%,3 mol%和5 mol%）Au掺杂花状In₂O₃微结构,分析结果证明Au掺杂的引入对In₂O₃微结构的形貌没有影响。气敏特性实验结果显示,Au掺杂In₂O₃不但降低了传感器的最佳工作温度（250℃）,而且提高了传感器的响应。尤其,3 mol%Au掺杂In₂O₃气体传感器对100 ppm丙酮的最大气敏响应可达23.1;（3）合成了纯的和不同浓度（1 mol%,3 mol%和5 mol%）Mo掺杂花状In₂O₃结构;研究了传感器对乙醇的气敏特性。气敏实验表明,在最佳工作温度（185℃）下,3 mol%Mo掺杂In₂O₃传感器（Mo3In）对100 ppm乙醇的响应可达7,是纯In₂O₃气体传感器（Mo0In）响应的1.8倍。同时,Mo掺杂的引入也有效的改善了传感器的响应恢复时间、选择性、稳定性等性能。同时,本文对传感器的气敏机理也进行了讨论于分析,贵金属（Au）掺杂不但可以增大材料的电导率,而且又能起到催化作用,改善传感器的气敏性能;普通金属氧化物的引入,可形成异质结结构,拓宽耗尽层的宽度,有效的提高元件的气敏特性。