第一章:本章中介绍了纳米材料所特有的表面效应和量子限域效应,以CdS 纳米材料的合成为主线综述了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的合成研究现状与发展方向,着重介绍零维、一维、二维、三维纳米CdS 的合成方法及荧光性质,并对高荧光量子产率的Ⅱ-Ⅵ族量子点应用于生物分析和临床诊断、标记成像等前沿领域作了介绍和展望。 第二章: 详细描述了用硫代乙酰胺取代硫粉作为硫源制备高量子产率的CdS量子点并自组装成六方有序排列超晶格的实验方法,对所制备的量子点进行了TEM、SAED、XRD、PL、UV-Vis 等结构表征和性质研究,并系统地研究了成核/退火温度、退火时间、反应物浓度、分散溶剂等因素对CdS 量子点的影响。结果表明,本法可在较低温度下制备出光学性能优异的CdS 量子点;退火时间的控制有助于提高荧光性质;反应温度和反应物浓度可以调控粒子的大小和荧光峰的位置;溶剂的选取也会影响荧光强度。本方法制备CdS 量子点具有:①产物的量子产率高;②CdS 量子点能自组装形成超晶格结构;③方法简单、安全、节能、易实现可控合成等优点,并有推广应用于制备其它硫化物半导体纳米材料和进行工业化的应用前景。第三章: 用多羟基天然生物多糖淀粉作稳定和模板试剂,以氯化镉和硫化钠为原料制备二维纳米CdS, 并通过改变反应条件实现对三角形、梯形、棒状、四方形等形貌的控制。利用TEM、SAED、XRD、UV-Vis、PL、Raman 等手段对制得的二维纳米CdS 进行了结构表征和性质研究,考察了反应物浓度、陈化时间、S2 的加入方式等因素对形貌的影响,并对二维纳米CdS 的形成机理作了初步探讨。 第四章: 利用多羟基化合物淀粉作稳定包覆和模板试剂,氯化镉和硫代乙酰胺作原料,在碱性条件以及高温回流过程中制得了准一维的CdS 纳米粒子链。