VO₂是一种相变型氧化物,具有金属-半导体转变的相变特性,其相变时具有电学和光学突变性质,这一特性使VO₂在众多领域,如自动调节温度的自能窗、激光防护薄膜、红外探测仪、光学数据存储材料等具有好的应用前景。众多研究表明纳米级VO₂粉体能显著减小材料相变时的应力,并且电阻突变量和光学透过率会随着粒度的减小而增大,与薄膜材料相比,它具有更广阔的应用领域,因而成为国内外研究者的关注。本文利用湿化学法制得掺钨、掺氟及钨-氟复合掺杂的前驱体,采用热分解法制备出了掺钨、掺氟及钨-氟复合掺杂的纳米VO₂粉体。同时采用热分析技术、XRD、TEM及XPS等手段对对前驱体的热分解过程、纳米VO₂粉体的形貌及结构特征以及电子能级结构的变化等方面进行了分析。通过实时温度-电阻的测量及傅立叶红外光谱分析,研究了掺杂纳米VO₂粉体的相变特性以及热稳定性。实验结果表明:（1）热分解后的纳米VO₂粉体的粒度为20nm～30nm、颗粒分散较为均匀且结晶形态较好。（2）掺钨纳米VO₂粉体,相变温度能降到30℃附近,电阻突变为2个数量级左右。在高、低温中,试样的中红外光透过率也发生了明显的变化,证明试样确实发生了相变并具有优良的相变光开关性能。（3）掺氟的纳米VO₂粉体比未掺杂的纳米VO₂粉体的相变温度有大幅的降低。同时发现钨-氟复合掺杂的纳米VO₂粉体的相变温度比单独掺入相同量的钨或氟的纳米VO₂粉体的相变温度低,并且其相变温度能降到31℃左右,电