下变频混频器在很多通信系统中是一个非常重要的电路模块。它将低噪声放大器(LNA)输出的射频(RF)信号与本振振荡器产生的本振(LO)信号进行混频,从而将信号频谱从射频转换到中频(IF)。由于下变频混频器位于系统的前级,其性能对整个系统的性能影响很大。对下变频混频器而言,高镜像抑制比(IRR)、低噪声系数(NF)、高增益、高线性度、高灵敏度以及低功耗是其设计要求。射频信号及其镜像信号经过混频器后,两者的输出信号频率相同,从而对有用中频信号造成干扰,甚至破坏有用中频信号。因此混频器必须提高镜像抑制性能,减少这种镜像干扰。目前主要采用三种方法来提高镜像抑制:1)滤除镜像信号(如超外差接收器);2)镜像信号抵消(如Hartley结构与Weaver结构);3)零中频。本文设计的下变频混频器用于双变频结构的数字电视调谐器接收芯片,该芯片对镜像抑制性能要求很高。该混频器基于Hartley结构,采用电阻电容多相滤波网络来抑制镜像信号,该网络根据不同的连接方式,可在8MHz频带范围内产生精确的正交信号或滤除镜像信号。本文首先分析了电阻电容多相滤波网络的特性,然后通过公式推导研究该网络中电阻电容值的偏差对镜像抑制的影响、负载对镜像抑制的影响、电阻电容不匹配与输入信号不匹配对镜像抑制的影响,以及正交信号产生网络对镜像抑制的影响,并根据推导结果定义电阻电容参数,最后完整的设计了一个下变频器。该下变频混频器采用Chartered 0.25μm CMOS工艺,射频输入信号1.22GHz,本振信号1.176/1.184GHz,输出中频信号为36—44MHz,镜像抑制比>49dB,增益为38dB,噪声系数9.2dB。