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本文在总结纳米材料及其应用的基础上，评述了磁记录介质研究的发展趋势，以及进一步提高记录密度和存储容量所面临的物理和技术问题。在解决物理基础和技术问题的基础上，纳米线阵列材料有望实现量子化存储。
本文在前人工作基础上，以扩展磁性纳米线材料体系为切入点，探索改进现有的模板制备与纳米线合成的方法和工艺，旨在获得一种新的制备化合物纳米线阵列的方法和工艺条件，为制备超高密度量子化存储介质提供参考和依据。
通过对一般AAO模板制备工艺的改进，得到了孔洞呈上下贯通的单层模板，用此方法可以明显的减少纳米线中顺磁性物质的含量。实验表明，用这套有所创新的方法还可以制备其它的化合物纳米线阵列。