本文用射频磁控溅射技术制备了Au/(Si/SiO2)/P-Si结构的样品，测定了样品在室温下的I-V特性曲线以及不同电压下的电致发光谱。对其电致发光的内在机制进行了研究。 对载流子输运机制的研究，主要是用隧穿模型和热电子发射模型对测得的I-V特性曲线进行分析。结果表明在较高的电场下，Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V曲线随Fowler-Nordheim规律变化，陷阱对电流的影响不明显，电流受电压和温度以及薄膜的厚度影响比较明显。但在低场范围和反向偏压下，电流主要以热激发的形式产生。对电致发光机制的分析，是用位形坐标理论模型对实验结果做了数值拟合，所得的数值结果表明，发光并不是来自于纳米硅层的带间复合，而是来氧化硅层中的一些缺陷形成的发光中心。电极和纳米硅层中被激发的电子和空穴通过隧穿进入氧化硅层，通过这些发光中心复合而发光。