GaAs高频大功率场效应晶体管设计

来源 :河北工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wodeking2009
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研究了高频下GaAs微波功率场效应晶体管的功率合成技术,内匹配技术主要应用在半导体功率器件的研制中,经过这么多年的研发应用,目前已经达到了成熟,国外市售的内匹配器件最高频率是14.5~15GHz,最大功率是10W,预计实验室产品的功率会更大。在国内,Ku波段功率器件的研发一直是一个难点,到目前为止效率高、可靠性高的Ku波段器件比较少。内匹配技术原理是使无源电路、管芯之间在相位上得到平衡,通过变换有源器件的输入、输出阻抗到合适阻抗后,进行功率分配和合成。在此理论基础上,研究了器件的有源模型和匹配网络元件的无源模型,有效避免了调试的盲目性和缩短了器件的研发周期;设计过程中使用了低介电材料的陶瓷电容,降低了调试难度的同时获得了更佳的匹配状态,提升了器件的微波性能;利用ADS软件工具设计了渐变传输阻抗变换线,和以往的λ/4阻抗变换线相比移去了线与线之间的耦合,具有结构简单,传输损耗小等特点。最后对测试夹具和封装管壳做了改进,和原有的情况相比器件的微波性能提升很多。通过以上几个方面的改进,研制了Ku波段内匹配器件。A类工作条件下测试其微波性能,在带内频率14.5~15GHz,漏源电压Vds等于8V时,器件输出功率大于40.4dBm(11W),线性功率增益为7dB,功率附加效率大于23%,获得了较好的测试结果。
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