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全无机钙钛矿量子点(CsPbX3)以其良好的电传输特性、发光波长可调性、可见光全谱发射性、半峰宽(FWHM)较窄及荧光量子产率(PLQY)高等优点,在发光二极管(LED)、太阳能电池、显示器、光电探测器以及激光器等领域具有重要应用价值。然而,CsPbCl3蓝光量子点的荧光量子产率很低(低于5%),CsPbI3红光量子点的荧光量子产率较低(70%左右)。本论文通过在CsPbCl3蓝光量子点和CsPbI3红光量子点中掺杂Rb+离子,使量子点表面钝化,非辐射跃迁几率减小,因此荧光寿命变长,量子点的表面缺陷减少,从而提高量子点的荧光量子产率。主要研究内容如下:(1)通过改进的热注入法将Rb+离子成功地引入CsPbCl3量子点,并且部分取代Cs+离子的位点。采用TEM进行形貌表征,并对其进行粒径统计,发现Rb+离子掺杂后粒径变大;采用XRD进行物相表征,发现Rb+离子掺杂后保持了CsPbCl3量子点的立方相结构,但是发生了晶格收缩;采用EDS和XPS进行元素分析,证明Rb+离子成功掺入CsPbCl3量子点;采用吸收光谱、发射光谱和瞬态荧光光谱进行光谱表征,通过优化Rb+离子掺杂浓度,得到最佳掺杂浓度为9%,Rb+离子掺杂后,量子点的荧光量子产率从5.7%提高到13%,吸收和发射峰蓝移,半峰宽变窄,荧光寿命从4.2ns延长到10.2ns。对量子点的发光动力学的进一步研究表明,荧光量子产率的提高和半峰宽的变窄是由CsPbCl3:Rb量子点中的表面缺陷减少所致,荧光寿命的延长是因为Rb+离子掺杂使量子点表面钝化,减少了非辐射跃迁几率。该工作提高了CsPbCl3蓝光量子点的荧光性能。(2)同样采用热注入法将Rb+离子掺杂到CsPbI3量子点中,发现与CsPbCl3:Rb量子点类似,通过优化Rb+离子掺杂浓度,得到最佳掺杂浓度为9%,Rb+离子掺杂后,量子点的荧光量子产率从75.2%提高到89%,吸收和发射峰蓝移,荧光寿命延长。CsPbI3:Rb量子点的吸收和发射峰蓝移,源于Cs+离子对Rb+离子的晶格取代。对量子点的发光动力学的进一步研究表明,荧光量子产率的提高是因为CsPbI3:Rb量子点中的表面缺陷减少,荧光寿命的延长则是由于Rb+离子掺杂使量子点表面钝化,减少了非辐射跃迁几率所致。该项工作改善了红光量子点的荧光性能。