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掺杂及空位Ga2O3的电子结构和物性研究

来源 :兰州理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a3470114

【作 者】

：

高姗姗 

【机 构】

：

兰州理工大学

【出 处】

：

兰州理工大学

【发表日期】

：

2021年期

【基金项目】

：

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