本文利用溶胶-凝胶方法在玻璃基片上制备了AZO薄膜，研究了制备过程中工艺条件对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响，并对AZO薄膜的导电机制和发光机理进行了探讨。 用X射线衍射仪(XRD)对样品的结构进行了表征。结果表明：所有样品的衍射谱都具有六角纤锌矿结构，没有Al和Al2O3的相存在，表明Al原子对Zn原子的有效替位，且(002)面具有明显的c轴择优生长的趋势。预处理温度对ZnO薄膜的c轴择优取向影响很大，本实验得到最佳预处理温度为400℃。此外还分析了掺杂浓度、退火温度对薄膜c轴取向的影响。 用四探针测试仪、紫外-可见分光分度计、荧光分光分度计对薄膜的光电特性进行了测试，得到以下结论： (1)在热分解温度400℃、退火温度550℃，掺杂浓度1％和镀膜层数12层的条件下，AZO薄膜的电阻率最低为5.2×10-3 Ω·cm。 (2)可见光范围内，AZO薄膜的透过率较高，一般在85％左右。掺杂浓度、预处理温度和退火温度对薄膜的透过率影响不大。在紫外光区380nm左右处薄膜发生截止，紫外区几乎没有光透过。 (3)光致发光谱显示AZO薄膜都是近带边发光，没有深能级发射出现。激发波长不同，薄膜的发光强度和发光中心均发生变化；随退火温度的升高，发光强度先增大后减小，发光峰有蓝移趋势。退火温度升高到500℃时，紫外发射峰强度达到最大，当退火温度达到550℃时，发光峰强度开始下降。