存储器广泛应用于卫星、航天等具有辐照性的领域。研究表明,辐照后存储器参数退化是该类器件稳定性降低的主要因素之一,因此迫切需要提出一套科学合理的辐照总剂量试验方法,对存储器辐照损伤效应进行研究。本文首先介绍研究背景、研究现状、需要解决的问题。其次,从MOS器件中最常用的SiO2介质材料出发,研究了SiO2介质材料的辐照损伤效应和机理。从MOS管的结构和应用出发,研究了辐照在MOS电路中引起的缺陷和对MOS电路表面物理特性的影响,探讨了MOS器件辐照电参数的退化和辐射损伤的微观机理。第三,通过深入调研和分析国内外存储器总剂量辐照试验的研究成果,获取第一手试验数据,从中确定存储器工作模式、试验中测试参数、不同剂量率辐照等试验条件的规律,同时结合对存储器工艺技术、类型和工作模式机理的分析,总结出各种工作模式,不同剂量率辐照对试验结果的影响、高温退火对总剂量效应试验的影响。第四,通过设计辐照试验,对存储器按设计好的试验程序进行辐照,验证高温加速退火试验程序对稳态总剂量试验结果的影响。最后,简要总结论文的研究工作,并根据存储器应用目的的不同,提出了三种存储器辐照总剂量试验方法及程序。本课题研究分析了大量有价值的数据,对以后开展辐照试验技术研究工作奠定了基础,为我国的大规模集成电路存储器辐照总剂量试验技术提供理论基础,是很有实际意义的。