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GaN纳米柱阵列在白光LED应用方面的研究
【摘 要】
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近年来,GaN纳米柱作为光电子集成重要的潜在组成部件,吸引了人们的广泛关注。相对于硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等其它半导体材料,GaN纳米柱可采用自催化方法制备,去除了催化物对纳米材料造成的污染,而且氮化物与砷烷、磷烷等制备半导体器件常用的掺杂源相比,更加绿色环保。本论文选择具有绿色环保及未来发展潜力的InGaN/GaN异质结纳米柱阵列结构的发光二极管(LED)为突破点,以设计
【机 构】
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郑州大学
【出 处】
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郑州大学
【发表日期】
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2020年03期
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