多芯片组件(MCM)以其体积小、重量轻、性能好等优点而倍受关注，并在计算机、电子、通信、军事、医疗、航空航天和汽车等领域得到广泛应用。随着特征尺寸的减小和集成规模的扩大，多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一。 准确模拟大功率MCM模块的三维温场分布，并分析掌握其热特性，有利于指导MCM热设计方案的选择，对提高大功率MCM的可靠性具有重要意义。多热源、大功率多芯片组件(MCM)热分析的研究是提高其可靠性的关键。本论文利用电子封装可靠性热优化设计技术，对多芯片组件的热分析及其优化设计进行了详细研究，从而以更准确、快速的热分析方法评价了MCM的热特性及各封装参数对MCM热性能的影响，为MCM的热设计提供了可靠的基础。运用ANSYS工具建立MCM的三维有限元模型，得到温场分布，经过热模拟和热分析，提出改善MCM温场的方案。模拟结果表明，多芯片组件中，粘接剂、基板材料是影响热阻的最重要因素；在MCM设计过程中适当考虑大功率芯片在基板上的几何分布，可以对MCM的温度场分布进行优化。 运用参数化程序设计语言APDL中的宏程序库，建立有关元件的元件尺寸和材料属性库，通过对元件库中已有的元件尺寸或者材料属性进行调用，从而实现元件的建库。 随着IC集成度和速度的提高、设备的逐步小型化，电子产品中的电磁兼容问题日益严重。本论文简要叙述了解决电磁兼容的方法。当平行走线加长时，近端串扰幅度不变(即饱和)、脉宽加大，而远端串扰幅度增大；近端和远端串扰幅度都随着线间距增大而减小，随着电介质层的厚度增大而增大。 串扰耦合量与互连线间距成反比，间距越小干扰越大，但是间距增加到一定程度，干扰的变化量明显变小，因此布线时不应盲目地加大互连线的间距，保持一定的互连线间距是互连线布线的一个重要原则。