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铁电隧道结利用新型的量子隧穿引起的电致阻变效应可以实现信息的非破坏性读取,在非挥发性存储器件中具有潜在应用前景。如何增强铁电薄膜的电致阻变效应,对于促进其在铁电存储器中的应用具有重要的意义。研究人员通常采用不对成称电极、半导体单晶作为基底材形成空间电荷区、或者制备复合势垒层等方法,来调控铁电隧道结的势垒高度和宽度,以提高其电致阻变效应。为进一步增强铁电薄膜的电致阻变效应,我们选用具有优异压电性能的Pb(Mg1/3Nb2/3)O_3-PbTiO_3(PMN-PT)铁电单晶作为衬底,借助其逆压电效应产生