随着大数据时代的来临,海量信息存储需求日益增长,使得信息产业对数据存储器的性能要求越来越高。传统硅基半导体存储器的发展受到严重的极限尺寸技术障碍,从而引发了新型存储技术的研究与发展。其中,近年来发展较快的电阻式随机存储器(RRAM)具有读写速度快、稳定性好、存储密度高和非易失性等优点,被认为是下一代非易失性存储器件(NVM)的最佳候选者。在外加电场作用下,RRAM器件通过薄膜材料电阻态的可逆转变来实现存储效应。目前,RRAM器件的存储性能和导电机制是研究的重点。因此,本论文设计并合成一系列具有D-A结构的金属聚合物,从分子设计角度来研究其对金属聚合物的电存储性能影响,具体内容如下:(1)设计合成了主链含卟啉单元的单核金属聚合物以及异核双金属聚合物。在聚合物分子中引入不同的金属中心原子和吸电子基团(硝基),从而引入不同电荷传导机制,实现电存储性能。将所合成的聚合物通过旋涂法制备成三明治结构的RRAM器件,测试结果显示该类器件具有稳定的二阶WORM型存储行为。(2)设计合成了主链含咔唑单元的金属聚合物。在聚合物的主链引入咔唑基团,在侧链苯环上引入氟原子或硝基,从而使单一聚合物具有多种电荷传输通道,有望实现多进制电存储性能。通过旋涂法制备了基于咔唑基金属聚合物的RRAM器件,初步测试结果表明器件显示出二阶WORM型存储行为,但其开关电流比较低,下一步还需要对器件结构和性能进一步优化。(3)设计合成了侧链含咔唑单元的金属聚合物。在外加电场作用下,聚合物共轭主链的D-A结构可形成CT态载流子通道,侧链也会发生构象转变形成新的载流子通道,从而实现存储性能。将其聚合物制备成RRAM器件,初步测试结果显示器件具有WORM型存储行为,后续还需进一步优化器件性能。