本文分别采用阳极氧化法、微弧氧化法和磁控反应溅射沉积氮化铝薄膜的方法对功率电子器件用金属铝基板表面进行绝缘化处理。采用x射线衍射仪(XRD)对表面绝缘薄膜的物相组成进行了分析,扫描电子显微镜(SEM)对表面绝缘薄膜的微观结构进行了研究,并用绝缘电阻测试仪、耐压测试仪和精密阻抗分析仪分别对绝缘膜进行绝缘电阻率、击穿场强和介电性能的测试。研究了磁控反应溅射工艺条件(溅射功率、靶基距和基板温度)对氮化铝绝缘薄膜介电性能的影响。结果表明:(1)以浓度2%草酸为电解液,0.5A恒流控温阳极氧化(<32.5℃)得到的绝缘氧化膜具有大的绝缘电阻率(2.34×1013??cm)和击穿场强(73.8 V/μm),并具有优异的低频(<2MHz)介电性能(ε为8.75左右,tanδ<0.20)。(2)微弧氧化放电通道的存在,降低了薄膜的绝缘性能和介电性能。(3) P=150W,d=5cm的条件下,较大的衬底温度可以使薄膜表面更光滑且缺陷很少,具有更优异的低频介电性能(200℃,ε<1.80,tanδ<0.04);较大的靶基距条件下生长的氮化铝薄膜略显均匀、光滑,可以很好地改善薄膜的低频介电性能,d=8cm,P=150W,室温条件下生长的薄膜ε为4.5左右,tanδ为0.015左右。对于晶态薄膜,较小的溅射功率和较大的靶基距有利于AlN薄膜的介电性能的改善。