本课题主要以介电质化学气相淀积(DCVD)工艺为基础，以高密度等离子体CVD(HDPCVD)作为研究对象，对其中出现的浅沟槽绝缘层钥匙孔缺陷（VoidDefect）和金属互联层电浆损伤（PlasmaDamage）两种现象进行研究，对引起这两种缺陷的形成机理进行了研究。并且针对这两种缺陷的形成机理，通过改变工艺配方和工艺流程的形式，达到了改善缺陷的目的。当器件持续缩小至深亚微米的范围时，造成作为隔离两个MOS管的浅沟槽绝缘变得深且窄，对HDPCVD工艺的间隙填充能力带来了新的挑战。实验表明，通过控制淀积刻蚀比可以有效改善HDPCVD的间隙填充能力。进一步研究发现，工艺配方中射频(RF)功率的设置，刻蚀气体的种类是控制淀积刻蚀比的主要方法。通过优化这两种参数设定，就可以通过改变淀积刻蚀比达到改善HDPCVD间隙填充能力的要求。金属互联层电浆损伤是HDPCVD工艺利用高密度的电浆对其填充绝缘薄膜二氧化硅，金属线出现弯曲，变形甚至断裂的现象。通过对金属互联层电浆损伤的长期观察，发现硅片上高的热负荷是形成电浆损伤的主要原因之一。通过两种途径来改善，一是改善HDPCVD的淀积工艺步骤，主要降低射频功率来降低热负荷，淀积步骤从传统的一步淀积向多步淀积转变；二是增加富硅氧化层，减少HDPCVD的薄膜厚度来改善电浆对金属线的损伤。通过本课题的研究，对浅沟槽绝缘层钥匙孔缺陷和金属互联层电浆损伤提出了一个清晰的思路，提高了工艺的稳定性，并使得HDPCVD工艺在应用方面得到了拓展。