稀磁半导体其自身独特的物理化学特性,兼具优秀的半导体性能以及磁学的性能,因此在研发新型自旋电子学器件领域中发挥着难以或缺的作用,其中ZnO基稀磁半导体因其自身拥有的优良理化性质而成为众人瞩目的科研材料。本文利用共沉淀法制备含过渡金属Fe,Co,Ni,Cu以及镧系金属Tb的配合物前驱体,通过对前驱体不同方式的处理,煅烧,制备了一系列磁性离子掺杂的ZnO基稀磁半导体材料。并通过红外光谱、固体紫外可见光谱、X射线衍射图谱、扫描电镜图以及磁性测量等对产物的形貌结构,光学性能和磁学性能进行了表征和研究。结果表明我们成功制备了均相的Ni,Fe,Co和Cu掺杂的ZnO稀磁半导体,其中Fe,Co在ZnO中的溶解限度最大,达到了5%。经凡士林包裹下煅烧所得Co,Ni掺杂氧化锌产物出现类薄膜结构,直接煅烧所得Co,Ni掺杂样品出现微球结构,并且随掺杂量变化呈现一定规律。Tb掺杂氧化锌样品出现棒状堆积和片层堆积结构。光学性质上,对不同离子掺杂的ZnO样品进行了固态紫外可见吸收光谱测试,结果表明掺杂之后的ZnO样品在紫外区域370nm附近均存有最大吸收峰,这归结于ZnO的本征吸收。而且,过渡金属离子除Ni以外,伴随离子掺杂浓度的增大,样品在可见光范围内的吸收增大,光学带隙值在不同程度上规律降低,出现吸收带边缘红移现象,说明离子进入了ZnO晶格,影响了ZnO的光学性质。磁学性能上,对不同过渡金属离子掺杂的ZnO以及Tb掺杂ZnO进行了磁性表征,结果表明过渡金属离子掺杂的ZnO产物中除去部分Cu掺杂样品,都具有室温铁磁性。其中Fe,Co掺杂ZnO产物随着掺杂浓度的增大,磁性逐渐增强,凡士林包裹下Ni掺杂氧化锌磁性随着掺杂浓度的增大而减小。