目前，科学工作者对量子点合成工艺的研究主要集中在有机相体系和水相体系这两方面。对于在有机相中合成高质量的量子点，广泛采用的高温热注射方法通常需要在很高的温度下进行前驱体的快速注入，也需要在高温下实现量子点的生长，并且成核的速度及产物的质量受前驱物注入速度和搅拌强度的影响较大，且制备的量非常有限。这些因素都限制了高温热注射法在量子点规模化制备中的推广。相对于高温热注射法，“一锅煮”法具有明显的优势，无需前驱体溶液的快速注入，反应速度相对较慢，因此更加可控且重现性更好，操作简单，对设备要求低，因而适合大规模的商业化生产。然而有机相中合成的量子点生物相容性差，很难应用于生物标记等领域。使用的金属有机物剧毒、不稳定、易爆炸，因此需要的设备和反应条件苛刻。鉴于此，水溶性量子点的成功合成很好地弥补了这些缺点，水溶性量子点具有独特的发光性能和良好的生物相容性，生长迅速，荧光性能高，制备条件较为简单。为了实现量子点的规模化制备，获得满足实际应用要求且荧光性能高的水溶性量子点，在本论文中，我们发展了一种绿色的、新颖的、常压低温下合成具有典型立方闪锌矿结构的CdTe量子点的方法，利用电化学法辅助合成了巯基乙酸包覆的水溶性CdTe量子点和三元CdZnTe量子点，并系统地研究了合成体系中反应参数对于量子点生长和荧光性能的影响，并对其反应机理进行了探讨。合成出的TGA稳定的CdTe量子点平均粒径为4.5nm，光致荧光发射光谱范围为520-600nm，在不做任何后续提纯处理的情况下荧光量子产率（PL QY）可达到50%左右，最高可达67%，优于现有文献的报导。这种电化学方法由于成本低廉，碲化物的零排放，对于实现量子点的批量生产有重要意义。我们还考察了制备条件对量子点光学性质的影响，发现前体Te^2-和Cd²⁺浓度，Cd-SR:HTe-的比例，TGA/Cd配比，Cd/Te配比，稳定剂结构等对量子点的生长都有重要影响。Te^2-浓度越大，量子点的生长速度越快。Cd²⁺浓度越低，参与形核的Cd²⁺越少，参与量子点长大的Cd²⁺就越多，量子点的生长速度越快，在反应初期，由于表面修饰不完善，其荧光量子产率不高，在反应后期，高浓度体系中由于剩余的单体较多，能够促进量子点的表面修饰，其荧光量子产率较高。TGA/Cd的配比影响了溶液中TGA-Cd络合物的组成和游离单体Cd²⁺的浓度，进而影响量子点的生长。Cd/Te配比决定了量子点的最终尺寸进而影响荧光发射波长的范围。当Te的相对浓度较低时，量子点的表面修饰较为完善，荧光量子产率较高，当Te浓度较高，缺陷增多，荧光量子产率降低。合成的CdTe量子点较为稳定，在常温常压下保存半年以上荧光性能不发生变化。通过改变量子点的粒径来调节其光学性能会导致一些问题，比如粒径过小的量子点稳定性较差，一个很好的解决办法就是合成三元合金量子点。通过改变三元量子点的组分，实现对其光学性能的调节。举例来说，CdTe的禁带宽度为1.45ev，ZnTe的禁带宽度为2.25ev，因此合成出的CdZnTe的禁带宽度就可实现在1.45-2.25ev之间可调。但是现有方法制备的CdZnTe量子点荧光缺陷较为显著，并且制备条件苛刻，成本昂贵。为此，我们首次利用电化学方法辅助合成了以巯基乙酸为稳定剂，发光范围在460nm-610nm的CdZnTe三元合金量子点，荧光量子产率最高可达到70%，尤其是在510-578nm的光谱范围内保持在50%以上。我们还考察了反应条件对TGA-CdZnTe量子点的生长及光谱性能的影响，通过对反应条件的优化，可获得荧光量子产率达到30%的蓝光量子点。Zn/Cd投料比越小，合金量子点中的CdTe组成越多，合成的CdZnTe量子点的荧光发射波长红移越明显。改变投料中TGA/Cd的比例，可以控制溶液中形成的配体络合物的形式，从而控制游离的Cd²⁺单体浓度和CdZnTe量子点的生长速度。