ZnS量子点作为一种新型发光材料,因其独特的光学特性和在众多领域的广阔应用前景而成为研究的热点。适当掺杂能使量子点光电性能明显提高,从而拓展其应用潜力。为了进一步提高ZnS量子点的发光特性,本论文采用低温固相法合成了Eu³⁺与卤素离子以及O^2-与Br^-共掺的ZnS量子点,并利用X射线粉末衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）、紫外-可见光反射光谱和光致发光谱（PL）对样品的晶体结构、成分、形貌、粒度、分散性、禁带宽度及发光性能进行了表征分析,探讨了发光机理。同时,依据第一性原理,采用MS模拟计算了ZnS、ZnS:3.125%O、ZnS:3.125%Br和ZnS:3.125%Br:3.125%O的能带结构和电子态密度,计算结果与实验结果形成了很好的对应。主要研究结果有:1.Eu³⁺与卤素共掺杂的ZnS量子点的制备与发光性能研究采用低温固相法合成了立方闪锌矿结构、准球形、平均晶粒尺寸分别为4.5、5.2、3.5⁴.3、4.2⁴.8、3.6⁴.2和3.7⁴.0nm的ZnS、ZnS_0.99Eu_0.01和Zn_0.99S_1-xEu_0.01M_x（M=F,Cl,Br,I）量子点;Eu³⁺的掺杂使得ZnS量子点的晶格常数和晶粒尺寸增大,分散性也得到提高。卤素与Eu³⁺共掺后,量子点的晶粒尺寸相对于Zn_0.99SEu_0.01减小,分散性有了进一步的提高。此外,Eu³⁺掺杂到ZnS量子点中会形成新的杂质能级,杂质能级捕获自由载流子形成发光中心,从而将ZnS量子点的发光强度提高了2.7倍。卤素与Eu³⁺共掺杂进一步提高了ZnS量子点的发光强度,在紫外光激发下,Cl^-、I^-、F^-、Br^-的最佳掺杂量分别为x=0.02、0.04、0.06和0.03,相应样品的发光强度分别约为ZnS量子点发光强度的9、7.2、6.3和5.8倍（Cl>I>F>Br）,较单掺Eu³⁺的ZnS_0.99Eu_0.01量子点分别提高了约2.4、1.9、1.7和1.6倍;其对应的禁带宽度分别为:3.704、3.665、3.706和3.700eV（Cl0.99Eu_0.01（3.654eV）相比,卤素与Eu³⁺的共掺增加了量子点的禁带宽度,改变了量子点的能带结构。2.O^2-与Br^-共掺的ZnS量子点的合成与发光性能研究采用低温固相法合成了O^2-与Br^-共掺杂的ZnS_0.96-xO_0.04Br_x（0≤x≤0.07）量子点,结果表明:样品为立方闪锌矿结构,晶粒尺寸为3.3⁴.5nm,颗粒为准球形,共掺后样品的分散性得到显著提升。Br^-的掺杂浓度为3mol%时,量子点的发光强度达到最大,约为未掺杂ZnS和ZnS_0.96O_0.04量子点的9和2.5倍。ZnS和ZnS_0.93O_0.04Br_0.03的禁带宽度分别约为3.64和3.76eV,共掺杂后量子点的禁带宽度明显增大,这与理论计算结果一致。理论计算结果显示:O^2-和Br^-共掺杂的ZnS量子点依然是直接带隙半导体,共掺有效地提高了电子载流子的密度,从而提高了样品的发光强度,这与实验结果一致。