随着电子设备不断向轻量化、低成本和高品质方向发展,要求相应的元器件必须兼具小型化、高性能、低成本和环境友好等特征。铌酸钾钠基无铅介电陶瓷是一类备受关注的环境友好型电子材料,其各方面的综合性能较好,例如,高的居里温度为实现宽的介电温度稳定区间提供了可能,这一特点可以实现该材料在多层陶瓷电容器（英文简称MLCC）高温领域的应用。为了促进铌酸钾钠基陶瓷在该领域的发展,越来越多的研究者投身于其中,但是由于其在高温下金属元素（K,Na）的挥发导致(K_0.5Na_0.5)NbO₃（KNN）的性能未达理想值,因此提高KNN的电学性能具有重大意义。本文采用传统的固相烧结法制备Bi(Cu_2/3Nb_1/3)O₃（BCN）、Bi(Ni_2/3Nb_1/3)O₃（BNN）、Bi(Ni_3/4W_1/4)O₃（BNW）、Bi(Mg_3/4Mo_1/4)O₃（BMM）、Bi(Li_1/3Ti_2/3)O₃（BLT）等铋基复合钙钛矿化合物掺杂的KNN基无铅介电陶瓷。系统研究了陶瓷样品的微观相结构、介电学性能（ε_r）和和阻抗特性等特性。（1）掺杂BCN、BNN、BNW、BMM、BLT的KNN陶瓷相结构均为单一的钙钛矿结构,没有第二相的生成,说明这几种掺杂分别与KNN形成了固溶体,且SEM显示陶瓷晶体生长良好。（2）0.99KNN-0.01BCN陶瓷在温度区间120oC到342oC内具有较高介电常数ε_r¹502,低的介电损耗tanδ≤0.035,较好的温度稳定性Δε/ε_120°C≤±15%;压电常数最大能达到131pC/N,铁电性能优异。在132°C到346°C内,0.99KNN-0.01BNN陶瓷具有高ε_r¹657,Δε/ε_132°C≤±10%,tanδ≤0.037。另外,（1-x）KNN-xBNN陶瓷的阻抗谱表明,陶瓷材料的电阻主要是由晶粒贡献。（3）0.99KNN-0.01BNW具有高ε_r¹590（140°C³50°C）,Δε/ε_140°C≤±15%,tanδ≤0.04（140°C⁴11°C）。在123°C到348°C区间内,0.99KNN-0.01BMM陶瓷有ε_r¹418,Δε/ε_123°C≤±15%,tanδ≤0.036（109°C³48°C）。两组陶瓷的阻抗谱表明,氧空位是可能的离子载流子的运动通道。（4）0.99KNN-0.01BLT在110oC到330oC内ε_r¹551,Δε/ε_110°C≤±9%,tanδ≤0.036（101.5oC³88oC）,且其压电常数最大值能达到145pC/N。阻抗谱表明氧空位是可能的离子载流子的运动通道。以上结果表明,铋基复合钙钛矿化合物掺杂的KNN基无铅介电陶瓷可以作为高温温度稳定型器件的备选材料。