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随着集成电路的集成度及运算速度的日益提高,传统的无机半导体材料受限于摩尔定律,同时,无机半导体材料制备的存储器件,因其制备工艺复杂,生产成本较高且器件刚性,未来的发展空间受到了越来越多的限制。随着柔性透明电子产品受到市场越来越多的青睐,有机半导体材料因其合成方便、制备工艺简单、成本低、可柔性、透明及可大面积生产等诸多优点,逐渐成为各研究机构及企业的研究热门。本工作是采用简单的溶液旋涂法制备了 PEDOT:PSS/CH3NH3PbI3柔性/透明薄膜,在此基础上制备出具有良好电双稳特性的器件,对相应器件进行电学性能的研究,并进一步研究和探讨其工作机理。主要的工作内容如下:(1)分别通过一步法和两步法制备了钙钛矿活性层,利用扫描电子显微镜(SEM)对两种方法制备的钙钛矿层进行形貌表征,结果表明,相对于两步法制备的薄膜,一步法制备的薄膜更加光滑平整并且结晶效果更好。不同的方法制备了不同结构的器件:Al/CH3NH3PbI3/PEDOT:PSS/ITO/Glass 器件和 Al/CH3NH3PbI3/ITO/Glass 器件,通过Ⅰ-Ⅴ测试发现,PEDOT:PSS层的引入,电双稳器件的电双稳性能得到明显的提高,最大开关比能达到103,且器件的稳定性良好。通过对一步法和两步法制备的薄膜在同样结构Al/CH3NH3PbI3/PEDOT:PSS/ITO/Glass的器件中的性能进行了比较,发现一步法制备的器件性能更加优良。这样的不同与SEM所表征的薄膜形貌不同是一致的。并对一步法制备器件的I-V曲线进行拟合,探究工作机理。(2)研究了钙钛矿层的制备转速及溶液浓度与薄膜透光率的关系,通过优化各项参数,最终制备了基于透明钙钛矿薄膜的电双稳器件。Ⅰ-Ⅴ测试结果显示,实验转速与溶液浓度显著影响器件的电双稳特性。通过对比实验,优化了实验转速为;通过降低溶液的浓度,器件不仅透明度升高,而且电双稳特性也表现良好,其中CH3NH3PbI3(浓度10 wt%)/PEDOT:PSS/ITO/Glass的透光率,在可见光范围内,最大透过率能达到75%。(3)在柔性衬底PET上制备基于透明有机无机杂化钙钛矿薄膜柔性电双稳器件(Al/CH3NH3PbI3/PEDOT:PSS/ITO/PET),通过 Ⅰ-Ⅴ 测试、连续“写入-读取-擦除-读取”循环脉冲测试及持续时间测量,得出所制备的柔性/透明电双稳器件的最大开关比能达到5×103,在空气中能够连续工作,性能稳定。Ⅰ-Ⅴ曲线的线性拟合表明器件产生电双稳特性的原因是PEDOT:PSS与钙钛矿的界面处的电荷俘获与释放所导致的。(4)制备全透明 MoO3/Ag/MoO3/CH3NH3PbI3/PEDOT:PSS/ITO/Glass 电双稳器件,Ⅰ-Ⅴ测试结果发现,器件具有电双稳特性。