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侧向光伏效应能够应用于光电探测领域以及位敏传感器领域,但在实际应用中,光电探测器件和位敏传感器等器件通常会因暴露在外界环境中而引起器件性能退化。本文就主要针对侧向光伏效应在实际应用当中的长时稳定性和紫外侧向光伏效应这两方面重点进行研究。通过选择Ni Se2这一具有金属性的材料,与半导体材料构成肖特基异质结作为对侧向光伏性质进行研究的主要研究对象。通过脉冲激光沉积的技术进行薄膜制备,分别通过在两种不同类型的衬底上进行Ni Se2的生长,来对其侧向光伏性质进行研究,主要研究内容如下:首先选择p-Si基片