本论文研究了R-Co-Ga体系中新化合物RCo0.67Ga1.33（R=Gd，Dy，Ho，Er）的晶体结构并测定了它们的性能。主要内容如下：　　 1、新化合物GdCo0.67Ga1.33晶体结构和性能　　 利用X射线粉末衍射技术和Rietveld结构精修方法测定了化合物GdCo0.67Ga1.33晶体结构和性能，其结构数据如下：a=0.43625（2）nm，b=0.70935（3）nm，c=0.75707（4）nm，2=4，密度Dcalc=8.207g/cm3，空间群为Imma（No．74），CeCu2结构类型。Rietveld结构修正的最后结果为：峰形因子Rp=7.97％，权重因子Rwp-10.31％，在高温测量范围301-598K内，利用高温X射线衍射技术研究了化合物的热膨胀性能，得到该化合物的晶胞参数和晶胞体积的热膨胀系数分别为αa=2.22×10-6K-1，αb=2.60×10-6K-1，αc=2.22×10-6K-1，αv=7.00×10-6K-1，在5-300K温度范围用四探针电阻测试仪对GdCo0.67Ga1.33的电阻进行测量，结果表明在整个测量范围内化合物呈现金属性。　　 2、新化合物DyCo0.67Ga1.33晶体结构和性能　　 利用X射线粉末衍射技术和Rietveld结构精修方法测定了化合物DyCo0.67Ga1.33晶体结构和性能，其结构数据如下：a=0.43627（2）nm，b=0.70748（3）nm，c=0.74923（4）nm，Z=4，密度Dcalc=8.466g/cm3，空间群为Imma（No．74），CeCu2结构类型。Rietveld结构修正的最后结果为：峰形因子Rp=7.92％，权重因子RWP=11.39％，用超导量子干涉仪在5-300K温度范围内对化合物的磁性能做了测量。其结果表明此化合物符合居里外斯定律，其居里温度和有效磁矩为别为32.7K和10.06μB，在5-300K温度范围用四探针电阻测试仪对DyCo0.67Ga1.33的电阻进行测量，结果表明在整个测量范围内化合物呈现金属性。　　 3、新化合物HoCo0.67Ga1.33晶体结构　　 利用X射线粉末衍射技术和Rietveld结构精修方法测定了化合物HoCo0.67Ga1.33的晶体结构，其结构数据如下：a=0.43479（2）nm，b=0.70351（3）nm，c=0.74876（3）nm，Z=4，密度Dcalc=8.620g/cm3，空间群为Imma（No．74），CeCu2结构类型。Rietveld结构修正的最后结果为：峰形因子Rp=8.33％，权重因子RWP=10.51％。　　 4、新化合物ErCo0.67Ga1.33晶体结构　　 利用X射线粉末衍射技术和Rietveld结构精修方法测定了化合物ErCo0.67Ga1.33晶体结构，其结构数据如下：a=0.43084（1）nm，b=0.68911（2）nm，c=0.75135（2）nm，Z=4，密度Dcalc=8.937g/cm3，空间群为Imma（No．74），CeCu2的结构类型。Rietveld结构修正的最后结果为：峰形因子Rp=9.67％，权重因子RWP=12.66％。