本文采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备Sb掺杂Sn2S3薄膜，在氮气保护下对薄膜进行不同条件的热处理，获得了性能良好的正交晶系Sn2S3多晶薄膜。主要研究内容及结果如下：
　　 ⑴XRD分析显示：采用Sn:S混合粉末比例为1：1.2(at%)制备出的薄膜，经T=380℃、400℃、430℃，t=40min热处理都可获得正交结构的Sn2S3薄膜，最佳热处理条件为380℃处理40min，相应的平均晶粒尺寸约为76.71nm。
　　 ⑵在相同温度条件下，掺Sb可明显减少热处理的时间。5%(质量比)掺Sb制备的薄膜在T=380℃，t=30min热处理后，可得到晶相结构完整的Sn2S3多晶薄膜，平均晶粒尺寸为56.91nm。
　　 ⑶SEM分析给出，Sn2S3薄膜表面颗粒大小均匀，膜面致密，有轻微颗粒聚集现象。能谱分析给出：Sn2S3薄膜体内化学计量比为1:1.49，与标准计量比非常接近。掺Sb为5%的Sn2S3薄膜体内Sn与S化学比例为1:0.543，化学计量比偏离较大锡过量。
　　 ⑷XPS分析给出：Sn2S3薄膜表面Sn与S比例为1：1.4；掺Sb为5%的Sn2S3薄膜表面Sn与S比例为1:0.17，化学计量比偏失较大。Sn2S3薄膜中的Sn和S以Sn2+、Sn4+、S2-的形式存在，Sb元素显示正5价。
　　 ⑸Sn2S3薄膜有良好的光吸收特性，在500nm以下对光完全吸收，直接光学带隙在1.9-2.3eV。掺Sb5%后的Sn2S3薄膜光吸收非常强，相应的直接光学带隙为1.56eV。
　　 ⑹制备的Sn2S3薄膜导电类型均为n型，未掺Sb的薄膜电阻很大约为105Ω；掺Sb后约降低近三个数量级，适量的Sb掺杂能明显改善Sn2S3薄膜的电学特性。