氮化硅陶瓷是最有希望在高温下应用的一种结构陶瓷,研究氮化硅陶瓷的连接具有十分重要的理论和实用价值。本文利用Cu-Pd-Ti和Au-Ni-V两种活性钎料钎焊连接氮化硅陶瓷,研究了连接工艺参数对钎焊接头组织和性能的影响,通过SEM、EDS、XRD分析了接头中元素的成分分布、反应产物的类型和分布,探讨了界面的连接机理。使用Cu-Pd-Ti钎料钎焊连接预金属化的Si₃N₄陶瓷。接头的构成为:靠近陶瓷的TiN反应层,反应层与钎料之间的TiN和Ti₅Si₃组成的连接层,焊缝中间的Cu基固溶体以及固溶体中的TiN、PdTiSi、Pd₂Si反应生成相。连接接头的组织和性能受连接工艺规范的影响,连接温度升高和保温时间的延长,接头界面处的TiN反应层厚度基本不变,连接层厚度增大,Cu基固溶体中的TiN和Pd₂Si相数量增多,尺寸增大,PdTiSi相的数量减少。在1423K以下,接头的弯曲强度随钎焊温度提高和保温时间的延长而升高。当温度超过1423K时,接头强度随温度的升高和保温时间的延长急剧下降。使用Cu-Pd-Ti钎料钎焊连接Si₃N₄陶瓷的连接机理为:在Si₃N₄陶瓷与钎料界面处形成TiN反应层。使用Au-Ni-V钎料钎焊连接Si₃N₄陶瓷,可获得可靠的接头。接头的构成为:陶瓷与钎料界面的VN反应层,焊缝中的Au基固溶体以及固溶体中的富Ni相。随着连接温度的提高,VN反应层逐渐变厚,连接强度随钎焊温度的提高而升高。随着连接时间延长,连接界面的VN反应层增厚,Au基固溶体中的富Ni相尺寸增大,接头强度随连接时间的延长而提高。使用Au-Ni-V钎料钎焊连接Si₃N₄陶瓷的连接机理为:在Si₃N₄陶瓷与钎料界面处形成VN反应层。