自从在磁性多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应以来，由于基础研究和应用两方面的原因，自旋阀的GMR效应引起了人们广泛的兴趣。本文围绕着自旋阀，开展两个方面的研究内容：(1)在纳米网状的阳极氧化铝和硅片两种衬底上，利用溅射法制备了FM/AFM双层膜。对于这一自旋阀中的关键结构，我们研究了其矫顽力增强的机制；(2)研究了溅射工艺条件对自旋阀磁电阻比值大小的影响，研究了自旋阀中铁磁层的体自旋相关散射和界面自旋相关散射对GMR的贡献，并探讨了界面粗糙度对GMR的影响。具体内容如下：(1)对于顶部钉扎自旋阀，发现GMR比值与工艺条件密切相关。(2)对于FM1/FM2/Cu/FM2/FM1自旋阀(FM1，FM2分别为Fe，Co，Ni，permalloy)构成的自旋阀，发现Co，permalloy,Fe，Ni的体和界面自旋相关散射对GMR比值的贡献依次从大到小变化。(3)在玻璃衬底上制备出了磁电阻比值约为8％的Co/Cu/Co顶部钉扎型自旋阀和磁电阻比值约为3％的Py/Cu/Py顶部钉扎型自旋阀。(4)对于CoxNi1-x/FeMn双层膜(成分不同)和FM/FeMn双层膜，其中FM分别是Ni，Py,Ni50Fe50，Co，Fe，发现双层膜的矫顽力与相应铁磁层的各向异性常数密切相关，双层膜的矫顽力随着铁磁层内禀磁各向异性常数的增加而增大。(5)对于在纳米网状衬底上的Py/Ta和Py/FeMn双层膜，矫顽力远大于相应连续薄膜的矫顽力，而且随铁磁层厚度的增加在17.5nm处有一个峰值。我们把这种现象解释为形状各向异性的影响。另外，纳米网状结构双层膜的矫顽力也强烈依赖于覆盖层的厚度及薄膜的溅射速率，这些都与纳米衬底独特的结构特性有关。