近年来,液相法制备有机微纳阵列场效应晶体管(FET)受到人们的广泛关注。一方面,液相法具有操作简单、适合大面积生产等优势;另一方面,有机半导体能溶于有机溶液,还可与柔性衬底结合,制备柔性器件和电路。另外,有机微纳阵列可以与图案化电极相结合,在大规模、高集成度的电路中得到广泛应用。常见的液相法有:滴注法、提拉法和区域浇铸法。针对目前这些液相法存在的问题,如:对实验环境要求高、很容易有溶剂杂质的残留等,导致有机半导体的结晶质量差,器件迁移率低,我们通过提出新颖的、改善传统的液相法,有效提高了有机小分子和聚合物半导体的结晶质量,再结合绝缘层表面修饰,彻底优化了FET的性能。1.我们证实了一种毛笔可控法,利用毛的毛细作用,在垂直于毛的方向得到了大面积、高度有序的TCNQ微米线阵列。这种阵列不仅可以生长在传统的刚性衬底上,由于溶液铺开面积大、浓度梯度小,还可以生长在非传统的柔性和曲面衬底上。同一方向的微米线阵列的面积可达1.5×2.0 mm2,成功率为93%。基于这些微米线阵列,我们制备了刚性和柔性FET,并且通过十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰Si/SiO2片,器件的迁移率提高了一个量级。2.我们利用简单的滴注法,通过选择合适的溶剂和衬底温度,得到了大面积、高质量的TIPS-pentacene微米带阵列,这在其他文献中是很难见到的。通过对SiO2绝缘层进行苯基三氯硅烷(PTS)修饰,器件迁移率提高了一个量级,最高为2.22 cm2/Vs,这是目前利用滴注法得到的TIPS-pentacene晶体FET中性能最高的。3.我们利用简单的旋涂法,通过调整溶液的浓度、溶剂类型以及退火条件和绝缘层,得到了高质量的PCDTPT聚合物薄膜,器件迁移率最高可达0.824 cm2/Vs,这是目前利用旋涂法得到的PCDTPT FET中性能最高的。