本文在模拟计算的基础上，利用MEVVA源离子注入机对体硅样品进行了C+离子注入。在样品进行退火后，利用Raman光谱、XRD以及荧光分光光度计对样品的结构，形貌以及光致发光性能进行了测试和表征。仔细分析了注入剂量、退火温度以及退火时间的影响。采用C+离子注入体硅并退火的方法制备出了硅基蓝紫光发射材料。本文具体围绕以下几个方面展开:　　 利用SRIM2010软件对注入后样品中的C+分布进行了模拟，结果显示注入的C+在样品中呈高斯分布，当注入能量一定时，注入离子在射程(Rp）内的分布概率也是一定的。并且我们同时观察到注入过程中产生了大量位错。注入能量足够大可以使晶格格点上的硅原子被击出并形成空位。　　 随后我们利用GIXRD和Raman光谱对制各的样品进行了表征，观察到C+的注入可能在样品中形成堆垛层错。由此判断晶体的扭转是因注入改变了晶体的堆垛顺序造成的。　　 通过在体硅中注入剂量相同的C+并改变退火温度和时间的手段，我们制备出了硅基蓝光发射材料，随着退火温度的升高，样品的蓝光发射强度逐步增强，半高宽逐步展宽，且拟合后发光峰出现了分峰，其中一个峰有规律的红移，说明量子限制效应和界面态在样品发光中起着重要的作用。不同退火温度下，在样品中形成了不同结构的Si/SiC复合结构，正是由于这种复合结构使得改性材料获得了蓝光发射。　　 我们对不同注入剂量但退火条件相同的样品进行了PL测试，当采用快速退火5 min时，样品出现了位于3.0 eV和2.83 eV的双峰发射结构，我们认为发光来自于Si空位缺陷所形成的发光中心。其中3.0 eV的发光峰来自于单Si空位缺陷，而2.83 eV处的发光峰则来自多Si空位缺陷。当退火时间提高至60 min后，样品位于2.83 eV处的发光峰消失，取而代之的是一个逐渐蓝移的发光峰，我们推测其是SiC纳米颗粒的量子限制效应导致的发光