随着集成电路特征尺寸的不断减小以及工作频率的不断提升,集成电路的电磁兼容问题越来越受关注。宇航环境下的电子设备,长时间工作在狭小密闭的空间,同时还会受到空间辐射的影响,使得空间应用集成电路不仅要面对电磁兼容问题,还需要考虑辐射效应以及老化损伤等问题。电压基准电路用于给整个电路提供基准电压,是集成电路的心脏。在极端环境下,电压基准电路的输出电压容易受到影响,从而改变整个电路的稳定性。本文通过理论分析、仿真及实验,研究了SOI(Silicon-on-insulator,绝缘衬底上的硅)器件的电磁兼容与老化的协同效应,SOI工艺电压基准电路的电磁兼容与总剂量辐照的协同效应。首先,针对研究对象以及具体的实验内容进行了详细介绍。研究对象包括三款电压基准电路。通过高低温电学特性测试、电磁敏感度测试以及总剂量辐照试验,验证了总剂量辐照对电路的电学特性以及电磁敏感度产生的影响。然后,对SOI器件在电磁干扰作用下的失效机理以及老化特性进行了研究。通过理论计算,分析了器件漏电流在电磁干扰作用下产生直流偏移的机理。结合器件老化损伤机理,分析了老化对器件电学特性以及电磁敏感度的作用机理,并通过加速老化实验以及电磁敏感度测试进行了验证。结论是,器件漏电流在电磁干扰作用下产生直流偏移的原因是器件具有非线性,老化效应降低了器件的非线性,从而降低了器件的敏感度。接着,对电路在电磁干扰作用下的失效机理展开了研究。电磁敏感度的测试结果显示,本文中电压基准电路在干扰作用下的失效方式为输出基准电压产生了负向直流偏移。通过分析从不同管脚注入干扰时电路的失效机理,得出电压基准电路在电磁干扰作用下产生直流偏移的原因是电路具有非线性,并通过仿真对失效方式进行验证。结合两个对比电路的结构以及敏感度测试结果进行了分析,得出的结论是电路的非线性越强,则敏感度越大。最后,研究了总剂量辐照对电路的电学特性以及电磁敏感度的作用机理。结合总剂量辐照对器件的损伤机理,通过理论计算分析了器件参数偏移对电路电学特性的影响,并通过仿真进行了验证。分析了器件参数偏移对电路非线性的影响,并结合敏感度仿真结果,得出的结论是器件参数偏移通过改变电路的非线性来影响电路的电磁敏感度。对比了辐照前后以及退火后电压基准电路中低频的电路敏感度测试结果,定位了引起中低频电磁敏感度增加的参数。对比了高频电磁敏感度测试结果以及定向耦合器中记录的功率值,得出的结论是总剂量辐照影响了电路中的寄生电容参数,从而改变了辐照后高频电磁敏感度。