本文研究了靶电源不同峰值电压及脉冲宽度条件下，MSIP016型磁控溅射离子镀工作时的电压、电流波形及伏安放电特性曲线。并选定不同的脉冲参数，于载玻片及Si衬底表面制备纯金属Cr镀层，采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及透射电子显微镜(TEM)等检测手段分析了组成镀层的晶粒尺寸、镀层表面及截面形貌、粗糙度及柱状生长形貌等，系统讨论了脉冲条件下不同电参数对镀层生长的影响。　　 研究结果表明：　　 在600V，5KHz条件下改变脉冲宽度，当脉宽约为60μs左右时，放电电流爬升到稳定的平台阶段；在15KHz，15μs条件下改变靶电源峰值电压，随着靶电压的上升，靶电流爬升速度加快，但在15μs放电时间内电流波形呈三角状。因为脉冲电压的突变特性，实际放电过程中电压和电流会出现跃变和震荡，需要在电路中加入电感元件降低影响。　　 在直流条件下随电流增大，Cr的(200)峰和(211)峰强度增强，但是随靶电源峰值电压及脉冲宽度的增加，镀层沿(100)峰择优生长趋势不变。在脉冲条件为15KHz，15μs条件下峰值电压由600V上升至800V时，镀层晶粒由10.34nm持续长大至20.69nm；600V，5KHz条件下增加脉冲宽度，晶粒由5.58nm持续长大至22.32nm；脉冲条件下Cr镀层晶粒整体大于等通量条件下直流所制备的镀层。　　 随靶电源峰值电压和脉冲宽度增加，镀层表面料糙度增大，但截断面形貌整齐。在600V，5KHz条件下，相同电通量时两种制备手段沉积速率相当；提高脉冲峰值电压增加至800V后，可能由于镀料自溅射及放电完成时出现反向电流波动等因素影响，导致镀料损失，沉积速率下降。　　 直流条件下由于电压较低，镀料不均匀溅射导致镀层表面颗粒生长呈一定方向性。提高电压能明显抑制此过程的影响。利用脉冲电源制备的纯Cr镀层致密度显著提高，柱与柱之间疏松明显减少。