反式二氯乙烯（C₂H₂Cl₂,Trans-dichloroethylene,以下使用英文简写DCE）在集成电路晶圆氧化工艺中的应用越来越广泛。氧化气体中掺杂氯之后,可以减少钠离子玷污,钝化Si O₂中金属离子的活性,硅氧化速率可以有所提高。本文以TEL（Tokyo Electron Ltd.）Alpha-8se八英寸高温氧化炉的硅热氧化工艺为基础,研究了DCE的流量对硅氧化速度的影响、不同工艺温度对掺杂DCE硅氧化速度的影响、以及不同的氧气流量对掺杂DCE硅氧化速度的影响。针对浅沟槽孔洞的案例,深入的研究了DCE对浅沟槽形状硅氧化速度的影响,包括侧壁所在晶向的硅氧化速度、DCE的流量变化与浅沟槽孔洞的关系、以及石英管羟基浓度对硅氧化速度的影响。同时采用全反射X射线荧光分析仪的方法测量氧化炉管内晶圆表面金属离子含量随时间变化的趋势,研究DCE清洗石英管的原理,以及最佳的DCE清洗石英管周期的定义。通过一系列的试验测试证明:硅氧化速度随着DCE流量、氧气流量、氧化炉工艺温度增大而增大,因此为了生长非常厚的氧化层（比如大于1000?）可以从采用提高DCE流量、氧气流量和氧化炉工艺温度的方法。浅沟槽侧壁的氧化生长速度比晶圆表面（100）面要快的多,在使用DCE的情况下,不但受到DCE的催化作用还会受到石英羟基浓度的影响。在使用新石英管的情况下,低羟基浓度的石英会使DCE分解出更多的氯,使得扩散到Si-Si O₂界面可以加速硅氧化反应的氯也更多,这样硅氧化速度就可以提高。通过全反射X射线荧光分析仪测量氧化炉管内晶圆金属离子浓度的方法,精准的测出当前机台DCE清洗石英管的周期最好为10天,而不是1周,这样既保证晶圆不被金属污染,又可以节约机台的可利用时间。本文通过对DCE影响硅氧化速度和清洁石英管的研究,解决了浅沟槽侧壁掺杂DCE氧化工艺良率低的问题,以及提高了氧化炉管的可利用时间。