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二硫化钼,一种新型的类石墨烯二维半导体材料,因其独特的电学、光学、机械、催化等性能成为新材料研究的热点。与零能带隙的石墨烯相比,MoS_2具有1.2~1.8eV的能带间隙,特别地,单层MoS_2是直接带隙半导体,具有高的载流子迁移率和优良的光吸收性质,在光电器件领域有非常广阔的应用前景。本文采用常压化学气相沉积法,以MoO_3和S为前驱物和反应物制备了MoS_2薄膜,研究了包括反应时间、前驱物质量、升温速率、反应气氛等条件对MoS_2薄膜生长的影响,总结出化学气相沉积法制备单层连续MoS_2的最佳工