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掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜是一种新兴的宽带隙半导体材料,具有透过率高、电阻率低的特点,因而在光电子器件中有广泛应用。本文采用射频磁控溅射法(RF-MS)分别在石英玻璃和PET基底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了工艺参数对薄膜结构和光电性能的影响。此外,首次研究了长时间紫外线照射对石英玻璃基底和PET柔性基底AZO薄膜结构和光电性能的影响。主要研究结果如下:改变样品制备过程中的射频功率、Ar气压、沉积时间、沉积温度、基底转速等工艺参数,利用XRD、SEM、XPS、UV-vis、四探针测试仪等设备对样品进行测试分析,研究了工艺参数对AZO透明导电薄膜结构和光电性能的影响。不同工艺参数和不同基底材料的样品,在2θ=34.4°附近均具有明显的c轴择优取向。当射频功率为120W时,薄膜可见光透过率最高接近75%,平均晶粒尺寸最大为26.8nm。薄膜结晶质量随Ar气压的增加而先改善后恶化,结晶质量在Ar气压为0.8Pa时最优,此时薄膜方阻最小为8.2Ω/□。适当延长沉积时间对薄膜结晶质量有很大的改善作用,当沉积时间小于90min时,薄膜在可见光区域的透过率均超过85%。较高温度对薄膜结晶有促进作用,250℃时结晶质量最好,但是在150~250℃的温度范围内,沉积温度对透过率影响不大。薄膜结晶质量随基底转速的增加而变差,因此当转速为0rpm时薄膜结晶最为致密,导电性能最好。通过对工艺参数的优化,当射频功率为120W,Ar气压为0.8Pa,沉积时间90min,沉积温度分别为250℃(石英玻璃基底)和100℃(PET基底),基底转速为0rpm时制得了石英玻璃基底透过率在85%以上,方块电阻为21Ω/□;PET基底透过率超过75%,方块电阻为36.2Ω/□的AZO薄膜。首次研究了长时间(168小时)紫外线照射对AZO透明导电薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明:不论是石英玻璃基底还是PET柔性基底,长时间紫外线照射对基底材料上的AZO薄膜结构和光电性能均具有明显影响。经过紫外线照射之后,薄膜晶粒尺寸缩小且衍射角向更大角度移动,结晶质量变差,导致薄膜可见光透过率降低,方块电阻增加。