硫化锌作为一种性能优良的发光材料和光电材料拥有很好的应用前景,所以制备纳米半导体材料硫化锌受到了众多学者的关注。本文是采用模板法电沉积制备ZnS纳米线,主要研究内容和结果如下:1.所谓模板法就是利用制备好的多孔氧化铝（AAO）模板来制备纳米线的一种方法。因此,首要的任务是制备多孔AAO模板,多孔AAO模板的制备采用二次阳板氧化法,通过实验找出制备AAO模板的最佳实验条件,并对多孔AAO模板进行了X射线衍射（XRD）测试、扫描电子显微镜（SEM）测试,XRD测试结果表明氧化铝在（200）晶向发生明显的择优取向,SEM测试结果表明再最佳条件下制备出的多孔AAO模板,孔径分布均匀,大小均一。在此基础上需要对AAO样片进行去铝基、阻挡层等工作。本文通过自行设计的去铝基（阻挡层）装置对AAO样片进行去除铝基和阻挡层,XRD测试结果表明,成功地去除了铝基和阻挡层。2.多孔AAO模板制备好之后,利用电子束蒸发在多孔AAO模板一面镀一层金作为电极,然后将镀有金电极的多孔AAO模板和铂金分别作为阴极和阳极在含有S、ZnCl₂等的二甲基亚砜溶液中进行电沉积,经一定时间后取出模板,对样片进行XRD、SEM和PL测试,SEM测试结果表明在多孔AAO模板中沉积了ZnS纳米线,其直径和Al₂O₃孔径一致,PL测试结果表明ZnS在420 nm和520 nm处有明显的发光。3.在成功制备ZnS纳米线的基础上,本文的创新点在于对ZnS纳米线进行Mn掺杂。目前为止ZnS:Mn的制备一般采用水热法。本文首次采用模板法电沉积的方法对ZnS纳米线进行Mn掺杂,并对实验结果进行了PL测试,结果显示,在590nm处有一Mn²⁺中心发光峰。