有机发光二极管（OLED）具有低功耗、低电压驱动、高色域、响应速度快等特点受到了广泛的关注。OLED器件发光层中的分子跃迁偶极矩取向和传输层中的分子取向对器件性能的提升有着关键性的作用。通过调控分子跃迁偶极矩取向和分子取向提高OLED器件的发光性能的方法不仅具有低成本,简便易行的特点,而且也有着巨大的发展潜力。本文探究了分子跃迁偶极矩取向和分子取向对OLED器件性能的影响,并对其中的机理进行了系统的分析。主要研究内容如下:1.探究了基板温度对发光层中分子跃迁偶极矩取向和空穴传输层中分子取向的影响,并对相应OLED器件的性能进行了分析。当基板温度为60°C时,OLED器件获得了最优性能,器件的最大亮度和外量子效率（EQE）分别达到74320 cd/m2和19.5%,相比于基板温度为30°C时的参考器件的18990 cd/m2的亮度和15.3%的EQE,分别提高了3.91倍和1.27倍。这归因于发光层中分子跃迁偶极矩取向,空穴传输层中的分子取向,发光层的荧光量子产率（PLQY）的协同作用。2.探究了退火温度对空穴传输层中的分子取向及OLED器件性能的影响。OLED器件达到最优性能时的退火温度为60°C,器件的最大亮度达到43390 cd/m2,相比于退火温度为30°C时的参考器件的16630 cd/m2的亮度,提高了2.65倍。薄膜中具有垂直取向的分子的比例随着退火温度的升高而增加,相应的单空穴器件（HODs）的空穴迁移率从30°C时的8.25×10-4cm2V-1s-1提高到了80°C时的1.34×10-3cm2V-1s-1。OLED器件性能的提高归因于不同退火温度对空穴传输层中分子取向及空穴迁移率的影响,在60°C时器件有最好的电子与空穴载流子的平衡。3.通过控制沉积速率,调控电子传输层和空穴传输层中的分子取向,并研究了分子取向对OLED器件性能的影响。分别对不同沉积速率下薄膜中的分子取向进行探究,以及对其在沉积过程中分子取向形成的原因进行分析。对相应的单载流子器件的电流密度、载流子迁移率和电容进行了测试和计算,并测试了单电子器件的交流阻抗谱。在薄膜的沉积过程中,高的沉积速率更容易获得高比例的垂直取向的分子,而具有垂直取向的分子更有利于单载流子器件中电流密度,提高载流子迁移率和电容。基于具有固定分子取向的空穴传输层和不同分子取向的电子传输层制备成OLED器件。OLED器件在电子传输层中具有垂直取向的分子比例达到最高时达到了最优性能,器件的最大亮度达到46670 cd/m2,相比于电子传输层中具有垂直取向的分子比例最低时的参考器件11340 cd/m2的亮度,提高了4.12倍。器件性能提升的原因可以归结为电子传输层中分子取向的改变提高了器件的载流子平衡率。