退火温度对磁控溅射氧化锌薄膜的影响及其物性研究

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氧化锌是直接带隙半导体材料,具有六方纤锌矿结构,禁带较宽,激子束缚能很高,具有耐高温、化学稳定性高等特点。制备的氧化锌薄膜具有良好光电、压电等特性,同时原料来源广泛、价格较低,正是因为这些优点使其成为近些年来半导体材料研究的重点。在太阳能电池、透明电极、LED显示器等领域内被普遍使用,未来应用前景十分光明。目前,氧化锌薄膜相关制备方法分为化学和物理两个大类,主要包括溶液-凝胶法、气相沉积法、分子束外延法、脉冲激光沉淀、磁控溅射等。本文使用多靶位共溅射新型射频磁控溅射系统,在单晶Si衬底上制备氧化锌薄
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