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在新兴的非易失性存储器中,阻性存储器由于具有读写速度快,功耗低可缩小性好,功能结构简单以及与传统的CMOS工艺兼容等特点,成为下一代存储器中最有力的候选者。但是,阻性存储器的实际应用还面临着一个亟待解决的问题——阻性存储器的读写可靠性问题,包括交叉阵列存储结构中的串扰以及由于阻性存储器阻值分散性较大导致的读写困难等问题。本课题主要针对串扰和读写困难性这个两个问题进行分析研究,并且分别针对每个问题提出解决方案。 首先,从阻性存储器的阻变机理开始分析阻性存储器的阻变原理,阻性存储器的性能参数以及对常见的阻变材料进行介绍并分类。然后分析交叉阵列中产生串扰的原因,并介绍几种已提出的解决方案,分析比较其优缺点,最后提出一种新的解决方案,并在理论上分析其可行性。 其次,在阻性存储器阻变机理的基础上分析影响阻性存储器阻值分布的因素,并针对这些因素提出一种针对阻性存储器的写验证方法。根据阻性存储器的阻变机理建立数学模型,并在SIMULINK下搭建仿真环境进行仿真,验证该方法的可行性。 最后,在进一步分析阻性存储器存储原理的基础上,对所提的写验证方法进行优化。这样,可以在保证阻性存储器读写可靠性的前提下,从存储器整体上改善写操作速度。