集成电路和半导体材料的发展，引起了人们对各种光电子器件的广泛关注。以场效应晶体管为代表的光电子器件在消费电子产品，新能源，和汽车工业等领域显示出巨大的潜在应用价值，国内外诸多公司和研究机构对场效应晶体管，尤其是有机场效应晶体管，都投入了大量的资源进行研究。但目前为止，无机场效应晶体管仍然存在工艺条件苛刻，制备成本高等问题，有机场效应管也存在器件性能低下，空气中稳定性差等问题亟待解决。本论文首先对场效应晶体管的发展过程，研究现状及面临的问题进行概述。然后对场效应晶体管的基本原理和本工作所需的仪器设备进行介绍。本论文的重点工作在于从无机和有机半导体材料的角度出发，分别选用MoO3纳米片和F16CuPc作为场效应晶体管的功能层，分别试制了无机场效应晶体管和透明有机场效应晶体管，具体如下：(1)采用高能红外辐射加热法在535℃、1-2min内即完成快速、大量MoO3纳米片的生长过程，比常规生长温度降低了约200℃，生长时间由20min-2h减少至1-2min，时间缩短为不到原来的10%。生长的3纳米片表面光滑，为层状结构，单层厚度为15nm，生长方向为（001）面，禁带宽度2.8eV，电阻率为9.2*10-4S/cm，并探索分析了MoO3纳米片的低温生长机理。本研究为单晶MoO3纳米片的工业化生产提供了一条高效率、低成本的方法，并准备用作于场效应晶体管的功能层。(2)研制了以WO3/Ag/WO3(WAW)为透明源漏电极，以F16CuPc作为N型半导体材料的的顶接触透明有机薄膜晶体管。WAW采用电子束蒸发的方式沉积，F16CuPc采用热蒸发的方式沉积。沉积在玻璃衬底上的WAW薄膜有着优异的电学和光学特性。最后整个器件进行退火，得到最佳性能所对应的温度为100℃。这种以WAW为电极的透明OTFT有着优异的器件性能，迁移率为4.65×10-3cm2/V·s,开关比约为1.1×104，整个器件在可见光范围的平均透过率约为75.6%。